半導體器件物理(孟慶巨著)課后答案
半導體器件物理(孟慶巨著)可作為高職高專微電子技術及相關專業的教材，也可供半導體行業工程技術人員參考。以下是由陽光網小編整理關于半導體器件物理(孟慶巨著)的課后答案，希望大家喜歡!
半導體器件物理(孟慶巨著)內容提要
孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導體器件物理》是*“十一五”國家級*。本書介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。全書內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池及光電二極管、發光二極管和半導體激光器等。《半導體器件物理》可作為高等院校電子科學與技術、微電子學、光電子技術等專業的半導體器件物理相關課程的教材，也可供有關科研人員和工程技術人員參考。
半導體器件物理(孟慶巨著)目錄
第1章 半導體特性
1.1 半導體的晶體結構
1.2 半導體中的電子狀態
1.3 雜質和缺陷
1.4 熱平衡載流子
1.5 非平衡載流子
1.6 載流子的運動
實驗一 晶體缺陷的觀測
實驗二 少數載流子壽命的測量
思考題與習題
第2章 PN結
2.1 平衡PN結
2.2 PN結的直流特性
2.3 PN結電容
2.4 PN結的擊穿特性
2.5二極管的開關作用和反向恢復時間
實驗三 PN結伏安特性與溫度效應
實驗四 PN結勢壘電容的測量
思考題與習題
第3章 半導體的'表面特性
3.1半導體表面與Si-SiO2系統
3.2 表面空間電荷區與表面勢
3.3 MOS結構的閾值電壓
3.4 MOS結構的C-V特性
3.5 金屬與半導體接觸
實驗五 MOS電容的測量
實驗六 SBD(肖特基)二極管伏安特性的測量
思考題與習題
第4章 雙極型晶體管及其特性
4.1晶體管結構與工作原理
4.2晶體管的直流特性
4.3晶體管的頻率特性
4.4晶體管的功率特性
4.5晶體管的開關特性
4.6晶體管的版圖和工藝流程
實驗七 圖示儀測試晶體管的特性曲線
實驗八 晶體管直流參數的測量[1]
思考題與習題
第5章 MOS場效應晶體管
5.1 MOS晶體管的結構與分類
5.2 MOS晶體管的閾值電壓
5.3 MOS晶體管輸出伏安特性與直流參數
5.4 MOS晶體管頻率特性與交流小信號參數
5.5 MOS晶體管版圖及其結構特征
5.6小尺寸集成MOS晶體管的幾個效應
實驗九 MOS晶體管閾值電壓VT的測量
實驗十 MOS晶體管輸出伏安特性曲線的測量
思考題與習題
第6章 其他常用半導體器件簡介
6.1 達林頓晶體管
6.2 功率MOS晶體管
6.3 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
6.4發光二極管(LED)
6.5太陽能電池
思考題與習題
附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能
參考文獻
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