半導體物理學試題及答案

時間：2023-06-08 07:26:53 期末試題我要投稿

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半導體物理學試題及答案

　　半導體物理學的發(fā)展不僅使人們對半導體有了深入的了解，而且由此而產生的各種半導體器件、集成電路和半導體激光器等已得到廣泛的應用。以下是由陽光網(wǎng)小編整理關于半導體物理學試題的內容，希望大家喜歡!

半導體物理學試題及答案

　　半導體物理學試題及答案(一)

　　一、選擇題

　　1、如果半導體中電子濃度等于空穴濃度，則該半導體以( A )導電為主;如果半導體中電子濃度大于空穴濃度，則該半導體以( E )導電為主;如果半導體中電子濃度小于空穴濃度，則該半導體以( C )導電為主。

　　A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、電子

　　2、受主雜質電離后向半導體提供( B )，施主雜質電離后向半導體提供( C )，本征激發(fā)向半導體提供( A )。

　　A、電子和空穴 B、空穴 C、電子

　　3、電子是帶( B )電的( E );空穴是帶( A )電的( D )粒子。

　　A、正 B、負 C、零 D、準粒子 E、粒子

　　4、當Au摻入Si中時，它是( B )能級，在半導體中起的是( D )的作用;當B摻入Si中時，它是( C )能級，在半導體中起的是( A )的作用。

　　A、受主 B、深 C、淺 D、復合中心 E、陷阱

　　5、 MIS結構發(fā)生多子積累時，表面的導電類型與體材料的'類型( A )。

　　A、相同 B、不同 C、無關

　　6、雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是( B )。

　　A、變大，變小 ;B、變小，變大;C、變小，變小; D、變大，變大。

　　7、砷有效的陷阱中心位置(B )

　　A、靠近禁帶中央 B、靠近費米能級

　　8、在熱力學溫度零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為( D )，當溫度大于熱力學溫度零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為( A )。

　　A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0

　　9、如圖所示的P型半導體MIS結構的C-V特性圖中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。

　　A、多子積累 B、多子耗盡

　　C、少子反型 D、平帶狀態(tài)

　　10、金屬和半導體接觸分為：( B )。

　　A、整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸

　　B、整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸

　　C、非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸

　　D、非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸

　　11、一塊半導體材料，光照在材料中會產生非平衡載流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡載流子將衰減為原來的( A )。

　　A、 1/e B、 1/2 C、 0 D、 2/e

　　12、載流子在電場作用下的運動為( A )，由于濃度差引起的運動為( B )。

　　A、漂移運動 B、擴散運動 C、熱運動

　　13、鍺的晶格結構和能帶結構分別是( C )。

　　A、金剛石型和直接禁帶型 B、閃鋅礦型和直接禁帶型

　　C、金剛石型和間接禁帶型 D、閃鋅礦型和間接禁帶型

　　14、非簡并半導體是指( A )的半導體。

　　A、能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度

　　B、用費米分布計算載流子濃度

　　15、當半導體材料處于熱平衡時，其電子濃度與空穴濃度的乘積為( B)，并且該乘積和(D)有關，而與( C )無關。

　　A、變化量; B、常數(shù); C、雜質濃度和雜質類型; D、禁帶寬度和溫度

　　半導體物理學試題及答案(二)

　　一、名詞解釋(本大題共5題每題4分，共20分)

　　1、受主能級：通過受主摻雜在半導體的禁帶中形成缺陷能級。正常情況下，此能級為空穴所占據(jù)，這個被受主雜質束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級。

　　2、直接復合：導帶中的電子越過禁帶直接躍遷到價帶，與價帶中的空穴復合，這樣的復合過程稱為直接復合。

　　3、空穴：當滿帶頂附近產生P0個空態(tài)時，其余大量電子在外電場作用下所產生的電流，可等效為P0個具有正電荷q和正有效質量mp，速度為v(k)的準經(jīng)典粒子所產生的電流，這樣的準經(jīng)典粒子稱為空穴。

　　4、過剩載流子：在光注入、電注入、高能輻射注入等條件下，半導體材料中會產生高于熱平衡時濃度的電子和空穴，超過熱平衡濃度的電子△n=n-n0和空穴△p=p-p0稱為過剩載流子。

　　5、費米能級、化學勢

　　答：費米能級與化學勢：費米能級表示等系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)，也不對外做功的情況下，系統(tǒng)中增加一個電子所引起系統(tǒng)自由能的變化，等于系統(tǒng)的化學勢。處于熱平衡的系統(tǒng)有統(tǒng)一的化學勢。這時的化學勢等于系統(tǒng)的費米能級。費米能級和溫度、材料的導電類型雜質含量、能級零點選取有關。費米能級標志了電子填充能級水平。費米能級位置越高，說明較多的能量較高的量子態(tài)上有電子。隨之溫度升高，電子占據(jù)能量小于費米能級的量子態(tài)的幾率下降，而電子占據(jù)能量大于費米能級的量子態(tài)的幾率增大。

　　二、選擇題(本大題共5題每題3分，共15分)

　　1、對于大注入下的直接輻射復合，非平衡載流子的壽命與(D )

　　A、平衡載流子濃度成正比 B、非平衡載流子濃度成正比

　　C、平衡載流子濃度成反比 D、非平衡載流子濃度成反比

　　2、有3個硅樣品，其摻雜情況分別是：

　　含鋁1×10-15cm-3 乙、含硼和磷各1×10-17cm-3 丙、含鎵1×10-17cm-3室溫下，這些樣品的電阻率由高到低的順序是(C )

　　A、甲乙丙 B、甲丙乙 C、乙甲丙 D、丙甲乙

　　3、有效復合中心的能級必靠近( A )

　　A、禁帶中部 B、導帶 C、價帶 D、費米能級

　　4、當一種n型半導體的少子壽命由直接輻射復合決定時，其小注入下的'少子壽命正比于(C )

　　A、1/n0 B、1/△n C、1/p0 D、1/△p

　　5、以下4種半導體中最適合于制作高溫器件的是( D )