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《半導體器件物理與工藝》課后習題答案下載
《半導體器件物理與工藝》是由[美國]施敏編寫，蘇州大學出版社出版的一本書籍。以下是由陽光網小編整理關于《半導體器件物理與工藝》課后習題答案下載的內容，希望大家喜歡!
《半導體器件物理與工藝》圖
《半導體器件物理與工藝》內容簡介
《半導體器件物理與工藝》(第2版)分為三個部分：第1部分(第2、3章)描述半導體的基本特性和它的`傳導過程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導體材料上。第l部分的概念將在《半導體器件物理與工藝》(第2版)接下來的部分被用到，了解這些概念需要現代物理和微積分的基本知識。第2部分(第4-9章)討論所有土要半導體器件的物理過程和特性。由對大部分半導體器件而言最關鍵的p-n結開始，接下來討論雙極型和場效應器件。最后討論微波、量子效應、熱電子和光電子器件。第3部分(第10-14章)則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術。我們介紹了制作器件時的各個主要步驟，包含理論和實際情況，并特別強調其在集成電路土的壓用。
《半導體器件物理與工藝》作者簡介
本書由[美國]施敏著 趙鶴鳴 錢敏 黃秋萍 譯。
施敏(Simon M·Sze) 美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業， 臺灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士，中國工程院院士，臺灣中央研究院三院院士。1936年出生。1957年畢業于臺灣大學。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學和斯坦福大學碩士與博士學位。
施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家。他是非揮發MOS場效應記憶晶體管(MOSFET)的發明者，這項發明已成為世界集成電路產業主導產品之一，90年代初其產值已達100億美元。此外，他還有多項創造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關系，建立了微電子元件最高電場的指標，如此等等。
施敏博士在微電子科學技術著作方面舉世聞名，對半導體元件的發展和人才培養方面，作出貢獻。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發行量逾百萬冊;他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養方面的貢獻，先后被選為臺灣中央研究院院士和美國國家工程院院士;1991年他得到IEEE電子器件的.最高榮譽獎(Ebers獎)，稱他在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。
施敏博士多次來國內講學，參加我國微電子器件研討會;他對臺灣微電子產業的發展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示愿為我國微電子產業的發展提供咨詢。
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