半導體物理試題及答案

　　半導體物理是一門專業性比較強的課程，要學好這門課程，同學們還是要用心去學才能學好半導體物理。下面是陽光網小編給大家整理的半導體物理試題及答案，歡迎大家學習參考。

　　半導體物理試題及答案

　　一、解釋下列概念：(20 分)

　　1、霍爾效應：

　　2、共有化運動

　　3、雜質補償

　　4、肖特基勢壘

　　5、 非平衡載流 子壽命

　　二、簡述硅和砷化鎵能帶結構的異同。(10 分)

　　三、簡述產生半導體激光的基本條件。(10 分)

　　四、簡述半導體光吸收的.主要物理過程，并在能帶示意圖上定性表示之。(10 分)

　　五、試述什么是簡并、 非簡并半導體;給出非簡并、弱簡并及簡并半導體的區分標準， 并說明其含義。(15 分)

　　六、請解釋遷移 率概念，并說明對于半導體硅而言影響其遷移率的主要因素。(15 分)

　　七、請定性畫出n-n 型異質結平衡 時能帶圖，并給予簡要解釋。(15 分)

　　八、 用n 型Si 襯底制成MOS 電容，解釋該結構在積累、耗盡、弱 反型、強反型下的 電容值變化規律，并畫出高頻、低頻的C-V 曲線。(15 分)

　　九、 在半導體硅材料中摻 入施主雜質濃度 N D = 10 15 /cm 3 ，受主雜質濃度 N A = 4× 10 14 /cm 3 ;設室溫下本征硅材料的電 阻率? i =2.2×10 5 ?.cm，假設電子和空穴的遷 移率分別為? n = 1350cm 2 /(V.S), ? p = 500cm 2 /(V.S)，不考慮雜質濃度對遷移率的影 響，求摻雜樣品的電導率。(20 分) 十、 施主濃度N D = 10 16 /cm 3 的n 型單晶硅片，求室溫下功函數是多少?若忽略表面 態的影響，當它同金屬 Al、Au、Mo 接觸時， 分別形成何種接觸?并定性畫出 該n 型硅與金屬Al

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