模擬電子技術基礎第四版童詩白華成英主編課后習題答案詳解
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模擬電子技術基礎(第四版)課后習題答案預覽 ：第一章常用半導體器件
自 測 題
一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。
(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。( )
(2)因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。( )
(3)PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。( )
(4)處于放大狀態的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。( )
(5)結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的.耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。( )
(6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。( )
解：(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、選擇正確答案填入空內。
(1)PN結加正向電壓時，空間電荷區將。
A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬
(2)設二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT-1)
(3)穩壓管的穩壓區是其工作在。
A. 正向導通 B.反向截止 C.反向擊穿
(4)當晶體管工作在放大區時，發射結電壓和集電結電壓應為。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V時，能夠工作在恒流區的場效應管有。
A. 結型管 B. 增強型MOS管 C. 耗盡型MOS管
解：(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
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